Sản phẩm Sét và chống sét Chống sét lan truyền Hệ thống chống sét toàn diện sáu điểm Giải pháp chống sét cho công trình Hướng dẫn chọn van chống sét an toàn Tiêu chuẩn chống sét Giải pháp chống sét an toàn Thiết bị cắt lọc sét và những ứng dụng cơ bản Chống sét và hệ thống tiếp đất chống sét Báo giá hệ thống chống sét Kim thu sét và giá kim thu sét interceptor Bảo vệ chống sét cho đường dây điện và một số điểm cần lưu ý Cách tính toán chống sét Chọn kim thu sét nào tốt nhất Cột chống sét là gì? Có nên đổi mới dòng kim thu sét cổ điển? Nguyên tắc hoạt động và cách lắp đặt cột thu sét Tác dụng của dây thoát sét Nguyên lý làm việc của chống sét van Tiếp đất chống sét Cấu tạo của thiết bị cắt lọc sét Tại sao cần lắp đặt thiết bị chống sét lan truyền Tầm quan trọng của giải pháp chống sét toàn diện Chọn thiết bị chống sét lan truyền cho đường tín hiệu Vị trí lắp đặt chống sét lan truyền trên đường nguồn AC Hóa chất làm giảm điện trở đất - GEM Thiết bị chống sét (Thời gian đáp ứng - Thời gian nhạy đáp) Thiết bị chống sét lan truyền và lợi ích của bộ lọc Hệ thống chống sét 1000 (System 1000) - Kim thu sét phóng điện sớm SI i-Series Thiết bị chống sét gắn trong tủ điện phân phối theo công nghệ TD và TSG (phần 1) Thiết bị chống sét gắn trong tủ điện phân phối theo công nghệ TD và TSG (phần 2) Cáp thoát sét chuyên dụng Ericore
Đối tác
Hệ thống chống sét 1000 (System 1000) - Kim thu sét phóng điện sớm SI i-Series

1.    Giải pháp chống sét toàn diện 6 điểm của ERICO – Mỹ

ERICO là hãng sản xuất thiết bị chống sét tin cậy hàng đầu thế giới về cung cấp các giải pháp công nghệ chống sét trực tiếp, chống sét lan truyền và hệ thống tiếp đất. Với việc nhận thấy tầm quan trọng của một giải pháp chống sét tích hợp toàn diện, ERICO đã nghiên cứu và phát triển giải pháp chống sét toàn diện 6 điểm bao gồm:

·         Điểm 1. Thu bắt tia sét 1 cách có hiệu quả

·         Điểm 2. Dẫn năng lượng sét xuống đất an toàn

·         Điểm 3. Tản năng lượng sét vào đất

·         Điểm 4. Đẳng thế các hệ thống đất

·         Điểm 5. Chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn

·         Điểm 6. Chống sét lan truyền trên đường tín hiệu, đường truyền dữ liệu

2.    Kim thu sét phóng điện sớm SI i-series của ERICO

Kim thu sét phóng điện sớm SI i-series của ERICO được sản xuất theo hệ thống quản lý chất lượng ISO 9001:2008 và đã được sản xuất tại nước có công nghệ tiên tiến - Pháp

ERICO sản xuất 3 loại kim thu sét phóng điện sớm:

• SI25i với độ lợi về thời gian tạo đường dẫn sét là 25 μs

• SI40i với độ lợi về thời gian tạo đường dẫn sét là 40 μs

• SI60i với độ lợi về thời gian tạo đường dẫn sét là 60 μs

Các loại kim thu sét phóng điện sớm SI i-series (Early streamer emission air terminals - ESEAT) phù hợp với  tiêu chuẩn NF C 17-102 phiên bản 2011. Các yêu cầu thiết kế, tính toán cấp độ bảo vệ và bán kính bảo vệ được tham chiếu từ tiêu chuẩn này.

Do mạch điều khiển bên trong, dòng kim thu sét phóng điện sớm INTERCEPTOR ESE i-Series có khả năng phát ra một tia tiên đạo hướng lên sớm hơn so với các thành phần bị động khác.

Cấu tạo kim INTERCEPTOR ESE i-Series gồm 3 phần

1.   Đỉnh kim

2.   Vòng cách điện

3.   Bộ phận điều khiển điện áp cao


3.    Tính năng

   Đã được kiểm tra và thiết kế theo tiêu chuẩn Pháp NF C 17-102 và các tiêu chuẩn tường đương

   Thiết kế bằng thép không rỉ 304 thích hợp cho hầu hết các môi trường sử dụng

   Có bán kính bảo vệ phù hợp với từng loại công trình

   Thích hợp với nhiều loại dây thoát sét, bao gồm thanh dẹp, cáp, cáp bện trơn, cáp cách điện và cáp thoát sét chuyên dụng ERICORE.

 

4.    Tính bán kính theo tiêu chuẩn Pháp NF C 17-102

a.  Bảng tra nhanh bán kính bảo vệ của kim Sl i-Series



b.  Công thức tính bán kính bảo vệ của kim SI i-series theo tiêu chuẩn NF C 17-102


Lưu ý: Công thức áp dụng với các chiều cao ≥ 5m

·         Rp: Bán kính bảo vệ của kim

·         h: Chiều cao đặt kim so với mặt phẳng cần bảo vệ

·         D: Cấp bảo vệ công trình, với:

            D = 20m với bảo vệ cấp 1

            D = 30m với bảo vệ cấp 2

           D = 45m với bảo vệ cấp 3

            D = 60m với bảo vệ cấp 4

·         ΔL = ΔT x v

o   v = 1m/µs

o   ΔT = 25µs với kim SI25i

o   ΔT = 40µs với kim SI40i

o   ΔT = 60µs với kim SI60i